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英文字典中文字典相关资料:


  • CN114289881A - 一种在硅基材料内部形成球形空腔的方法和设备 - Google Patents
    本发明涉及微纳米制造技术领域,尤其涉及一种在硅基材料内部形成球形空腔的方法和设备,所述方法包括以下步骤:(S 1)采用激光加工的方式,制备具有空腔的硅基材料;(S 2)在热场中置入(S 1)所述中已制备得到的具有空腔的硅基材料,进行热处理工艺
  • 一种在硅基材料内部形成球形空腔的方法和设备
    5 为实现上述发明目的,本发明通过以下技术方案实现:一种在硅基材料内部形成球形空腔的方法,包括以下步骤:(s 1)采用激光加工的方式,制备具有空腔的硅基材料;(s 2)在热场中置入(s 1)所述中已制备得到的具有空腔的硅基材料,进行热处理工艺
  • 6. 4. 5 微机电系统制造——空腔-SOI,Cavity-silicon on Insulator(Cavity-SOI)
    相比于传统的SOI衬底,空腔-SOI衬底更适于加工需要垂直或水平运动的结构(如电容式惯性传感器、压力传感器、传声器、射频器件和 微流控器件),因为腔体在空腔-SOI衬底制造中可以很好地定义出来,配合干法刻蚀,可以很容易地释放可动结构,大大缩短了
  • 一种在硅基材料内部形成球形空腔的方法和设备. pdf专利下载-原创力专利
    本发明涉及微纳米制造技术领域,尤其涉及一种在硅基材料内部形成球形空腔的方法和设备,所述方法包括以下步骤:(S 1)采用激光加工的方式,制备具有空腔的硅基材料;(S 2)在热场中置入(S 1)所述中已制备得到的具有空腔的硅基材料,进行热处理工艺
  • 空腔嵌入绝 - 物理学报
    绝缘体上硅(silicon on insulator, SOI)衬底是一种被广泛应用于高性能、高可靠集成电路中的重要衬底材料[1,2] 受益于SOI衬底独特的三明治结构, 埋氧层将其顶层硅有源区与衬底硅隔离开来, 阻隔了来自于硅衬底中的扰动信号, 使SOI芯片具有较强的抗闩锁效应、 抗单粒子辐射、耐高温、 高频、 低功耗等优点[2−10] 然而, 随着集成电路技术的发展, 应用环境对半导体芯片提出了更高性能、 更低功耗、 耐极端环境等要求, 对SOI材料进行必要的结构改良, 可以进一步释放新型器件集成技术的设计空间, 进一步提升SOI器件的电学性能和可靠性[11,12]
  • 一种控制硅基微结构内部空腔形成位置的研究方法技术
    本发明专利技术温热处理下硅基微结构空腔位置变化规律研究方法,主要操作:在一定的温度环境下,对不同初始结构参数的硅材料进行热处理15min,探究硅基微结构空腔位置变化规律,从而达到控制硅基微结构空腔位置。
  • 中空纳米微球定制技术综述与应用解析_结构_模板_nm
    中空纳米微球定制技术综述与应用解析 2026-04-22 15:19 发布于:陕西省 一、概述 中空纳米微球(Hollow Nanospheres)是一类具有“壳层+空腔”结构的功能纳米材料,其典型尺寸范围在10 nm至几百纳米之间。 相比实心颗粒,这类材料具有以下结构特征: 内部空腔(void
  • 飞秒激光制备硅基功能性微纳结构研究 - 百度学术
    硅作为一种十分重要的半导体材料,凭借其良好的导热性,机械强度和红外透过率等性能,被广泛应用于光电探测和半导体集成电路等领域 在保留硅自身特性的基础之上,利用表面结构化设计与处理,可以调控硅的光学特性以及表面特性,这使结构化硅材料在太阳能电池
  • 一种在硅基底上制备微空腔金属结构的方法
    本发明利用一次涂覆光刻胶,两次曝光,一次显影及一次微电铸即可获得全金属微空腔结构,避免了目前该类结构制备过程中工艺繁琐导致的中心对准难、侧壁粗糙度大及侧壁垂直度低等问题,不仅简化了工艺步骤,而且有效地缩短了工艺制备周期。
  • Cavity空腔SOI晶圆定制加工--Cavity SOI_新闻中心_上海奥麦达微电子有限公司
    它们在微机电系统 (MEMS) 技术中有许多应用,并且与体硅微加工以及传统 SOI 技术相比具有许多优势。 该技术的一大优点是降低了器件与 SOI 晶圆处理层之间的寄生电容。 这将使设备能够更有效地运行。





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